DatasheetsPDF.com

EMB24B03G

Excelliance MOS
Part Number EMB24B03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.)...
Datasheet PDF File EMB24B03G PDF File

EMB24B03G
EMB24B03G

Overview
    Dual P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.
)  24mΩ  ID  ‐8A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB24B03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±25  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  ‐8  ‐6  ‐32  Avalanche Current  IAS  ‐12  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐8A, RG=25Ω L = 0.
05mH  EAS  EAR  3.
2  1.
6  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  2  1.
1  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.
1mH, VG=‐10V, IL=‐8A, Rated VDS=‐30V P‐CH THERMAL RESISTANCE RATI...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)