DatasheetsPDF.com

EMB50D03G

Excelliance MOS
Part Number EMB50D03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON ...
Datasheet PDF File EMB50D03G PDF File

EMB50D03G
EMB50D03G

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  30V  ‐30V  21mΩ  50mΩ  ID  8A  ‐5A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB50D03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  N‐CH  P‐CH  V  ±20  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=10A, RG=25Ω(N)  L = 0.
1mH, ID=‐10A, RG=25Ω(P)  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junctio...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)