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EMB17C03G

Excelliance MOS
Part Number EMB17C03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON ...
Datasheet PDF File EMB17C03G PDF File

EMB17C03G
EMB17C03G

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  30V  ‐30V  17mΩ  20mΩ  ID  10A  ‐8A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB17C03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  N‐CH  P‐CH  V  ±20  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=8A, RG=25Ω(N)  L = 0.
1mH, ID=‐7A, RG=25Ω(P)  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Juncti...


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