DatasheetsPDF.com

EMB21C03G

Excelliance MOS
Part Number EMB21C03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON ...
Datasheet PDF File EMB21C03G PDF File

EMB21C03G
EMB21C03G

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  30V  ‐30V  21mΩ  35mΩ  ID  7.
5A  ‐6A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB21C03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  N‐CH  P‐CH  V  ±20  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=7.
5A, RG=25Ω(N) L = 0.
1mH, ID=‐6A, RG=25Ω(P)  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  7.
5  ‐6  5.
5  ‐5  30  ‐24  10  ‐10  2.
8  1.
8  1.
4  0.
9...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)