DatasheetsPDF.com

EMB9930G

Excelliance MOS
Part Number EMB9930G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     2N & 2P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RD...
Datasheet PDF File EMB9930G PDF File

EMB9930G
EMB9930G

Overview
    2N & 2P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  30V  ‐30V  40mΩ  45mΩ  ID  5.
5A  ‐4.
5A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Du...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)