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EMB14N10CS

Excelliance MOS
Part Number EMB14N10CS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB14N10CS PDF File

EMB14N10CS
EMB14N10CS

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.
)  14.
6mΩ  ID  62A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB14N10CS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=70A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  62  39  24...


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