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EMB07P03V

Excelliance MOS
Part Number EMB07P03V
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 27, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB07P03V PDF File

EMB07P03V
EMB07P03V

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.
)  7.
8mΩ  ID  ‐26A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  TC = 25 °C  TA = 25 °C  VGS  ID  Pulsed Drain Current1  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=‐26A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB07P03V LIMITS  ±25  ‐...


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