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FF1200R12IE5P

Infineon
Part Number FF1200R12IE5P
Manufacturer Infineon
Description IGBT
Published Apr 18, 2019
Detailed Description FF1200R12IE5P PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC/bereits aufgetragenemT...
Datasheet PDF File FF1200R12IE5P PDF File

FF1200R12IE5P
FF1200R12IE5P

Overview
FF1200R12IE5P PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC/pre-applied ThermalInterfaceMaterial PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • USV-Systeme ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheKurzschlussrobustheit • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • UPSsystems ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highshort-circuitcapability • Unbeatablerobustness • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 Datasheet www.
infineon.
com PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.
1 2020-06-16 FF1200R12IE5P IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 50°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES  ICDC  ICRM  VGES  1200 1200 2400 +/-20 V A A V Charakteristi...


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