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FF800R12KE3

eupec
Part Number FF800R12KE3
Manufacturer eupec
Description IGBT
Published Jun 12, 2020
Detailed Description Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FF800R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum r...
Datasheet PDF File FF800R12KE3 PDF File

FF800R12KE3
FF800R12KE3

Overview
Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FF800R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values vorläufige Daten preliminary data Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C; Transistor Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral I²t value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 1200 800 1200 1600 3,9 +/- 20 800 1600 140 2,5 V A A A kW V A A k A²s kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage IC= 800A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 800A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, Gate Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 32mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, Gateladung gate charge VGE= -15V.
.
.
+15V; VCE=.
.
.
V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C min.
typ.
max.
VCEsat - 1,7 2,15 V 2 t.
b.
d.
V VGE(th) 5 5,8 6,5 V QG - 7,7 - µC Cies - 57 - nF Cres - 2,7 - nF ICES - - 5 mA IGES - - 400 nA prepared by: MOD-D2; Mark Münzer approved: SM TM; Christoph Lübke date of publication: 2002-07-30 revision: 2.
0 1 (8) DB_FF800R12KE3_2.
0.
xls 2002-07-30 Technische Information...


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