Silicon N-Channel MOSFET
Description
GT10G101
トランジスタ シリコンチャネル IGBT
GT10G101
○ ストロボ
いがなエンハンスメントタイプです。 がい。 ゲートがい。 : VCE (sat) = 8V () (IC = 130A) : VGE = 20V () (IC = 130A) : mm
(Ta = 25°C)
コレクタ・エミッタ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ DC 1ms コ レ ク タ け Ta = 25°C Tc = 25°C ト ル ク VCES VGES IC ICP PC PC Tj Tstg ― 400 ±25 10 A 130 2.0 W 30 150 -55~150 0.6 °C °C N・m V V
JEDEC EIAJ
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