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3DD6012A6

Huajing Microelectronics
Part Number 3DD6012A6
Manufacturer Huajing Microelectronics
Description Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification
Published Sep 23, 2015
Detailed Description NPN ○R 3DD6012A6 1 ： 3DD6012A6 NPN ，， ，、 VCEO 。 ：TO-126， RoHS 。 IC Ptot（TC=25℃） 2 ： TO-126 530 1.2 50 ● ...
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3DD6012A6
3DD6012A6

Overview
NPN ○R 3DD6012A6 1 ： 3DD6012A6 NPN ，， ，、 VCEO 。 ：TO-126， RoHS 。 IC Ptot（TC=25℃） 2 ： TO-126 530 1.
2 50 ● ● ● ● ● 1 2 3 1.
B 2.
C 3.
E 3 ： 、， 。 B C V A W E () （Pb） （Hg） （Cd） （Cr(VI)） (PBB) （PBDE） ≤0.
1% ≤0.
1% ≤0.
01% ≤0.
1% ≤0.
1% ≤0.
1% ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ×○○○○ ○ ○： SJ/T11363-2006 。 ×： SJ/T11363-2006 。 （Pb）， RoHS 。 1 5 2008 4 ，Ta= 25℃ - - - Ta=25℃ Tc=25℃ VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj Tstg ○R 3DD6012A6 900 530 9 1.
2 1.
5 50 150 -55～150 V V V A W ℃ ℃ ，Ta= 25℃ - - - - - - hFE1 hFE2 - - ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFEa hFE1/ hFE2 VCE a sat VBE a sat ts tr ...


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