DatasheetsPDF.com

EMB32N03K

Excelliance MOS
Part Number EMB32N03K
Manufacturer Excelliance MOS
Description N-Channel MOSFET
Published Oct 19, 2015
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB32N03K PDF File

EMB32N03K
EMB32N03K

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  35mΩ  ID  5.
5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％              2011/10/24    EMB32N03K LIMITS  ±20  5.
5  3.
6  22  1.
25  0.
83  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  MAXIMUM  100  UNIT  °C / W  p.
1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB32N03K LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 5V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 5.
5A  VGS = 4.
5V, ID = 4.
5A  VDS = 5V, ID = 5.
5A  DYNAMIC  30      V  1.
0  1.
5 3.
0      ±100 nA     1  A     10  5.
5      A    30 35  mΩ   40 50    11   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance    Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Time1,2  Rise Time1,2  Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  Ciss  Coss  Crss  Qg  Qgs  Qgd  td(on)  tr  td(off)  tf    VGS = 0V, VDS = 10V, f = 1MHz    VDS = 10V, VGS = 10V,  ID = 5.
5A    VDS = 15V,    ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω      323     75   pF   53     7.
1   ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)