Part Number
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LD271HL |
Manufacturer
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Siemens Group |
Description
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
Published
|
Apr 25, 2005 |
Detailed Description
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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 ...
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Datasheet
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LD271HL
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Overview
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL
Area not flat 0.
6 0.
4 9.
0 8.
2 7.
8 7.
5
2.
54 mm spacing
1.
3 1.
0
5.
9 5.
5
1.
0 0.
7
Cathode Approx.
weight 0.
5 g
Chip position
GEX06239
Cathode 29 27 9.
0 8.
2
spacing 2.
54mm
0.
4 0.
8
1.
8 1.
2
7.
8 7.
5
5.
9 5.
5
0.
4 0.
6
Area not flat Chip position Approx.
weight 0.
2 g
4.
8 4.
2
ø4.
8 ø5.
1
0.
6 0.
4
GEO06645
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Lange Anschlüsse q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen q...
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