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LD271H

Siemens Group
Part Number LD271H
Manufacturer Siemens Group
Description GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
Published Apr 25, 2005
Detailed Description GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 ...
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LD271H
LD271H

Overview
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 0.
6 0.
4 9.
0 8.
2 7.
8 7.
5 2.
54 mm spacing 1.
3 1.
0 5.
9 5.
5 1.
0 0.
7 Cathode Approx.
weight 0.
5 g Chip position GEX06239 Cathode 29 27 9.
0 8.
2 spacing 2.
54mm 0.
4 0.
8 1.
8 1.
2 7.
8 7.
5 5.
9 5.
5 0.
4 0.
6 Area not flat Chip position Approx.
weight 0.
2 g 4.
8 4.
2 ø4.
8 ø5.
1 0.
6 0.
4 GEO06645 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Lange Anschlüsse q Gruppiert lieferbar q Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203 Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern q Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Semiconductor Group 1 Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse h...


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