Part Number
|
KT872B |
Manufacturer
|
Integral |
Description
|
NPN Transistor |
Published
|
Jun 23, 2015 |
Detailed Description
|
КТ872
n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные ...
|
Datasheet
|
KT872B
|
Overview
КТ872
n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом).
Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы • Прототипы – BU508А, BU508, BU508D
Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C
Обозначение технических условий • аАО.
336.
681 ТУ / 02
Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) - КТ872А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) - КТ872А1, Г1
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение
База Коллект...
Similar Datasheet