DatasheetsPDF.com

KT872A

Integral
Part Number KT872A
Manufacturer Integral
Description NPN Transistor
Published Jun 23, 2015
Detailed Description КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные ...
Datasheet PDF File KT872A PDF File

KT872A
KT872A


Overview
КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом).
Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы • Прототипы – BU508А, BU508, BU508D Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Обозначение технических условий • аАО.
336.
681 ТУ / 02 Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) - КТ872А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) - КТ872А1, Г1 Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ872 (январь 2011г.
, редакция 1.
0) 1 Таблица 1.
Основные электрические параметры КТ872 при Токр.
среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток коллектора КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток эмиттера КТ872А, Б, В, А1 КТ872Г, Г1 Статический коэффициент передачи тока КТ872В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б КТ872В Вpемя спада КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Вpемя рассасывания КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Постоянное прямое напряжение диода КТ872Г, Г1 Обозн.
Ед.
Режимы измеpения Min Max изм Uкэо гp.
B Iк=100mA, Iб=0, L=40мГн 700 600 Iкэк мА Uкэк =1500B Uбэ=0 1,0 Uкэк =1200B Uбэ=0 0,6 Iэбо мA Uэб=6B 10 75 150 h21э Uкэ=5B, Iк=0,03A 6 Uкэ(нас) В Iк=2,5A, Iб=0,6A 0,5 Iк=4,5A, Iб=2,0A 1,0 Iк=4,5A, Iб=2,0A 5,0 Iк=2,5A, Iб=1,0A 1,0 tсп.
мкс Uкэ=500В, Iк нас =4,5А 0,8 1,0 tрас.
Iб нас= Iб зап =1,4 А 6,7 Uбэ зап = -5В 7,5 Uпр.
В Iпр=4,5А 2,0 Таблица 2.
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ872 Параметры Напpяжение коллектоp-эмиттеp: КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Напряжение коллектор-эмиттеp (импульсное): Uбэ ≤0В, Q ≥4, tu ≤20 мкс КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора И...



Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)