DatasheetsPDF.com

KT368BM

INTEGRAL
Part Number KT368BM
Manufacturer INTEGRAL
Description NPN Transistor
Published Jun 16, 2016
Detailed Description КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-плана...
Datasheet PDF File KT368BM PDF File

KT368BM
KT368BM

Overview
КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий • аАО.
365.
025 ТУ / 02 Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (январь 2011г.
, редакция 1.
0) 1 Таблица 1.
Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр.
среды = +25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ Граничное напряжение Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Ед.
изм.
Режимы измеpения мкА Uкб=15B, Iэ=0 мкА Uэб=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6*107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3*107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 50 450 100 450 - 3,3 15 - 0,9 -1,35 - 1,7 -3 - 15 Таблица 2.
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368АМ-ВМ Параметры Напряжение коллектор-база Импульсное напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp Импульсное напpяжение коллектоp-эмиттеp Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора (эмиттера) Постоянный импульсный ток коллектора (эмиттера) Рассеиваемая мощность коллектора при температуре окружающей среды: от - 60 до + 65 °С при температуре 100 °С Тепловое сопротивление транзистора переход-среда Температура перехода Обозначение Uкб max Uкб и max Uкэr max Uкэr и max Uэб max Iк (э) max Iк (э) max Pк max Rt п-ср Tп max Ед.
измер.
В В В В В мА мА мВт °С / Вт °С Значение 15 20 15 20 4 30 60 225 13...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)