DatasheetsPDF.com

EMA06N03AN

Excelliance MOS
Part Number EMA06N03AN
Manufacturer Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Jun 19, 2016
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.)  6m...
Datasheet PDF File EMA06N03AN PDF File

EMA06N03AN
EMA06N03AN

Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.
)  6mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMA06N03AN LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=53A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  80  50  170  53  140  40  69  27  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％            1.
8  °C / W  75  2013/8/21  p.
1    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMA06N03AN LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 20V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 30A  VGS = 5V, ID = 24A  VDS = 5V, ID = 24A  DYNAMIC  25      V  1  1.
5 3      ±100 nA     1  A     25  80      A    5.
3 6  mΩ   7.
6 9.
5    25   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Ciss      Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    Reverse Transfer Capacitance    Crss    Gate Resistance  Total Gate Charge1,...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)