DatasheetsPDF.com

EMF25P02VA

Excelliance MOS
Part Number EMF25P02VA
Manufacturer Excelliance MOS
Description P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Jun 22, 2016
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMF25P02VA PDF File

EMF25P02VA
EMF25P02VA

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.
)  25mΩ  ID  ‐7.
8A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Bottom View S DD SD GD D PIN 1 SYMBOL  EMF25P02VA LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  ±8  ‐7.
8  ‐5.
8  ‐31.
2  2.
08  1.
33  ‐55 to 150  V  A  W  °C  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
            12  °C / W  60  2013/11/13  p.
1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMF25P02VA LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = ‐250A  VDS = VGS, ID = ‐250A  VDS = 0V, VGS = ±8V  VDS = ‐16V, VGS = 0V  VDS = ‐16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = ‐5V, VGS = ‐4.
5V  VGS = ‐4.
5V, ID = ‐5A  VGS = ‐2.
5V, ID = ‐4A  VGS = ‐1.
8V, ID = ‐2A  VDS = ‐5V, ID = ‐5A  DYNAMIC  ‐20      ‐0.
4  ‐0.
75 ‐1.
2     ±100     ‐1      ‐10  ‐7.
8        21 25    27 35    35 50    16   V  nA A A  mΩ S  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance    Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Time1,2  Rise Time1,2  Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  Ciss  Coss  Crss  Qg  Qgs  Qgd  td(on)  tr ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)