DatasheetsPDF.com

EMB17A03G

Excelliance MOS
Part Number EMB17A03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Jul 24, 2016
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMB17A03G PDF File

EMB17A03G
EMB17A03G

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.
)  17mΩ  ID  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB17A03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  10  7  40  Avalanche Current  IAS  12  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=10A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  5  2.
5  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  2  0.
8  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=7.
5A, Rated VDS=30V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  V  A  mJ  W  °C  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  362.
5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
        25  62.
5  °C / W  2012/08/15  p.
1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB17A03G LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 10A  VGS = 4.
5V, ID = 6A  VDS = 5V, ID = 10A  DYNAMIC  30    1  1.
5          10      14.
5   21   18   3  ±100 1  25    17  26    V  nA A A  mΩ S  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance    Gate Resistance  Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Ch...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)