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EMB99A0G

Excelliance MOS
Part Number EMB99A0G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     2N & 2P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RD...
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EMB99A0G
EMB99A0G

Overview
    2N & 2P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  100V  ‐100V  250mΩ  300mΩ  ID  2.
2A  ‐1.
7A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  390°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
      2012/5/8  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      EM...


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