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EMBA5C10A

Excelliance MOS
Part Number EMBA5C10A
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      BVDSS  RDSON (MAX.)  ID ...
Datasheet PDF File EMBA5C10A PDF File

EMBA5C10A
EMBA5C10A

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      BVDSS  RDSON (MAX.
)  ID  N‐CH  100V  150mΩ  3A  P‐CH  ‐100V  250mΩ  ‐2.
5A  D1 G1 S1     Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  D2 G2 S2 PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％        2013/10/8  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      EMBA5C10A LIMITS  N‐CH  P‐CH  ±20  ±20  ...


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