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EMD05N50F

Excelliance MOS
Part Number EMD05N50F
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  500V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMD05N50F PDF File

EMD05N50F
EMD05N50F

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  500V  D RDSON (MAX.
)  1.
85Ω  ID    UIS, 100% Tested  5A  G S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=5A, RG=25Ω  L = 0.
5mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMD05N50F LIMITS  ±30  5  3  20  5  37.
5  6.
25  48  19  ‐55 to 150...


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