DatasheetsPDF.com

EMBJ7N25J

Excelliance MOS
Part Number EMBJ7N25J
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMBJ7N25J PDF File

EMBJ7N25J
EMBJ7N25J

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  D RDSON (MAX.
)  1.
7Ω  ID  0.
4A  G   Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐ Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％                  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL    2012/8/6  EMBJ7N25J LIMITS  ±20  0.
4  0.
25  1.
6  1.
25  0.
8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  MAXIMUM  100  UNIT  ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)