DatasheetsPDF.com

EMBJ7A25G

Excelliance MOS
Part Number EMBJ7A25G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  RDSON (MAX.)...
Datasheet PDF File EMBJ7A25G PDF File

EMBJ7A25G
EMBJ7A25G

Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  250V  RDSON (MAX.
)  1.
7Ω  ID  0.
5A    Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  EMBJ7A25G LIMITS  ±20  0.
5  0.
3  2  2  1.
3  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  362.
5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)