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EMB39P06CS

Excelliance MOS
Part Number EMB39P06CS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐60V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB39P06CS PDF File

EMB39P06CS
EMB39P06CS

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐60V  D RDSON (MAX.
)  41mΩ  ID  ‐26A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐20A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C TC = 100 °C Operating Junction & Storage Temperature Range VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RθJC  Junction‐to‐Ambient  RθJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle...


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