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EMDA0P10F

Excelliance MOS
Part Number EMDA0P10F
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐100V  D RDSON (MAX.) ...
Datasheet PDF File EMDA0P10F PDF File

EMDA0P10F
EMDA0P10F

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐100V  D RDSON (MAX.
)  120mΩ  ID  ‐22A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐15A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  ...


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