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EMB60C06G

Excelliance MOS
Part Number EMB60C06G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSO...
Datasheet PDF File EMB60C06G PDF File

EMB60C06G
EMB60C06G

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  60V  ‐60V  60mΩ  90mΩ  ID  5A  ‐4A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle...


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