DatasheetsPDF.com

EMF30C02G

Excelliance MOS
Part Number EMF30C02G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSO...
Datasheet PDF File EMF30C02G PDF File

EMF30C02G
EMF30C02G

Overview
    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.
)  20V  ‐20V  30.
5mΩ  100mΩ  ID  6.
5A  ‐4.
2A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  362.
5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
      2012/12/26  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL      E...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)