DatasheetsPDF.com

EMBE0A10G

Excelliance MOS
Part Number EMBE0A10G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  50...
Datasheet PDF File EMBE0A10G PDF File

EMBE0A10G
EMBE0A10G

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.
)  500mΩ  ID  1.
5A    UIS 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  VGS  ID  IDM  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  EMBE0A10G LIMITS  ±20  1.
5  0.
9  6  2  0.
8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  362.
5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz co...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)