DatasheetsPDF.com

EMB02N03HS

Excelliance MOS
Part Number EMB02N03HS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  2....
Datasheet PDF File EMB02N03HS PDF File

EMB02N03HS
EMB02N03HS


Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  2.
5mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB02N03HS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current1  Pulsed Drain Current2  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=64A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy3  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  100  67  400  64  204  102  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V N‐CH THERMAL ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)