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EMD04N10E

Excelliance MOS
Part Number EMD04N10E
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMD04N10E PDF File

EMD04N10E
EMD04N10E

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.
)  3.
7mΩ  ID  180A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N10E LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=95A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  180  129  540  95  451  ...


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