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EMD09N08E

Excelliance MOS
Part Number EMD09N08E
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMD09N08E PDF File

EMD09N08E
EMD09N08E


Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.
)  9mΩ  ID  103A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
3mH, ID=45A, RG=25Ω  L = 0.
1mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％         ...


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