DatasheetsPDF.com

EMZB08P03H

Excelliance MOS
Part Number EMZB08P03H
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 27, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.)  8....
Datasheet PDF File EMZB08P03H PDF File

EMZB08P03H
EMZB08P03H

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.
)  8.
5mΩ  ID  ‐70A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMZB08P03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=‐50A, RG=25Ω Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  PD  Tj, Tstg  ±20  ‐70  ‐50  ‐150  ‐50  125  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.
1mH, VG=‐10V, IL=‐40A, Rated VDS=‐30V P‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)