DatasheetsPDF.com

EMF02P02H

Excelliance MOS
Part Number EMF02P02H
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 27, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMF02P02H PDF File

EMF02P02H
EMF02P02H


Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.
)  3.
2mΩ  ID  ‐100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMF02P02H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±12  Continuous Drain Current1  Pulsed Drain Current2  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  ‐100  ‐73  ‐400  Avalanche Current  IAS  ‐100  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy3  L = 0.
1mH, ID=‐100A, RG=25Ω L = 0.
05mH  EAS  EAR  500  250  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  69  27  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.
1mH, VG=‐5V, IL=‐70A, Rated VDS=‐20V ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)