DatasheetsPDF.com

EV2A16A

e2v
Part Number EV2A16A
Manufacturer e2v
Description 256K x 16-bit 3.3V Asynchronous Magnetoresistive RAM
Published May 15, 2017
Detailed Description Datasheet EV2A16A 256K x 16‐bit 3.3V Asynchronous Magnetoresistive RAM Features • Single 3.3V Power Supply • Industria...
Datasheet PDF File EV2A16A PDF File

EV2A16A
EV2A16A

Overview
Datasheet EV2A16A 256K x 16‐bit 3.
3V Asynchronous Magnetoresistive RAM Features • Single 3.
3V Power Supply • Industrial Temperature Range (–40°C to 110°C) and Military Temperature Range (–55°C to 125°C) • Symmetrical High‐speed Read and Write with Fast Access Time (35 ns) • Flexible Data Bus Control: 8 bit or 16 bit Access • Equal Address and Chip‐enable Access Times • Automatic Data Protection with Low‐voltage Inhibit Circuitry to Prevent Writes on Power Loss • All Inputs and Outputs are Transistor‐transistor Logic (TTL) Compatible • Fully Static Operation • Full Nonvolatile Operation with 20 Years Minimum Data Retention Introduction The EV2A16A is a 4,194,304‐bit magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 262,144 words of 16 bits.
 The EV2A16A is equipped with chip enable (E), write enable (W), and output enable (G) pins...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)