DatasheetsPDF.com

BPX90F

Siemens Semiconductor Group
Part Number BPX90F
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode
Published Mar 23, 2005
Detailed Description BPX 90 BPX 90 F Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensi...
Datasheet PDF File BPX90F PDF File

BPX90F
BPX90F

Overview
BPX 90 BPX 90 F Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPX 90 BPX 90 F Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 90) und bei 950 nm (BPX 90 F) q Hohe Fotoempfindlichkeit q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (BPX 90) and of 950 nm (BPX 90 F) q High photosensitivity q DIL plastic package with high packing density Applications q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type BPX 90 BPX 90 F Bestellnummer Ordering Code Q62702-P47 Q62702-P928 Semiconductor Group 1 01.
97 feof6014 feo06014 BPX 90 BPX 90 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 .
.
.
+ 80 230 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS VR Ptot 32 100 V mW Kennwerte TA = 25 °C Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Wellenlänge der max.
Fotoempfindlichkeit Wavelength of max.
sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Symbol Symbol BPX 90 Wert Value BPX 90 F Einheit Unit S S λS max λ 45 (≥ 32) – 830 – 26 (≥ 16) 950 nA/Ix µA nm 400 .
.
.
1150 800 .
.
.
1150 nm A L×B L×W H...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)