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F4-75R12KS4_B11

Infineon
Part Number F4-75R12KS4_B11
Manufacturer Infineon
Description IGBT
Published Jun 11, 2020
Detailed Description TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F4-75R12KS4_B11 EconoPACK™2Modulmitschnell...
Datasheet PDF File F4-75R12KS4_B11 PDF File

F4-75R12KS4_B11
F4-75R12KS4_B11

Overview
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F4-75R12KS4_B11 EconoPACK™2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPACK™2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData TypischeAnwendungen • InduktivesErwärmenundSchweißen • USV-Systeme ElektrischeEigenschaften • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom • NiedrigeSchaltverluste MechanischeEigenschaften • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypicalApplications • InductiveHeatingandWelding • UPSSystems ElectricalFeatures • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent • LowSwitchingLosses MechanicalFeatures • IsolatedBasePlate • CopperBasePlate • PressFITContactTechnology • RoHScompliant • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:NK approvedby:RS ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2013-11-05 revision:2.
0 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F4-75R12KS4_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten PreliminaryData VCES  IC nom IC  ICRM  Ptot  VGES  1200 75 100 150 500 +/-20...


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