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FP25R12KT4_B11

Infineon
Part Number FP25R12KT4_B11
Manufacturer Infineon
Description IGBT
Published Jun 12, 2020
Detailed Description TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP25R12KT4_B11 EconoPIM™2ModulmitTrench/Fe...
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FP25R12KT4_B11
FP25R12KT4_B11

Overview
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP25R12KT4_B11 EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPIM™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A TypischeAnwendungen • Motorantriebe • Servoumrichter ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse TypicalApplications • MotorDrives • ServoDrives ElectricalFeatures • ExtendedOperationTemperatureTvjop • LowSwitchingLosses • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C MechanicalFeatures • HighPowerandThermalCyclingCapability • IntegratedNTCtemperaturesensor • IsolatedBasePlate • CopperBasePlate • PressFITContactTechnology • RoHScompliant • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:AS approvedby:RS ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2013-11-25 revision:2.
0 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP25R12KT4_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gat...


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