DatasheetsPDF.com

FD1200R17HP4-K_B2

Infineon
Part Number FD1200R17HP4-K_B2
Manufacturer Infineon
Description IGBT
Published Jun 12, 2020
Detailed Description TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD1200R17HP4-K_B2 IHM-BModulmitChopperKonfi...
Datasheet PDF File FD1200R17HP4-K_B2 PDF File

FD1200R17HP4-K_B2
FD1200R17HP4-K_B2

Overview
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD1200R17HP4-K_B2 IHM-BModulmitChopperKonfiguration IHM-Bmodulewithchopperconfiguration TypischeAnwendungen • Chopper-Anwendungen • Hochleistungsumrichter • Traktionsumrichter • Windgeneratoren ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigesVCEsat MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypicalApplications • Chopperapplications • Highpowerconverters • Tractiondrives • Windturbines ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • LowVCEsat MechanicalFeatures • 4kVAC1mininsulation • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • IHMBhousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:WB approvedby:IB ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2016-01-21 revision:V3.
1 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD1200R17HP4-K_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)