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FZ1000R33HE3

Infineon
Part Number FZ1000R33HE3
Manufacturer Infineon
Description IGBT
Published Jun 12, 2020
Detailed Description FZ1000R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTren...
Datasheet PDF File FZ1000R33HE3 PDF File

FZ1000R33HE3
FZ1000R33HE3

Overview
FZ1000R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A PotentielleAnwendungen • Chopper-Anwendungen • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • Traktionsumrichter • USV-Systeme • Windgeneratoren ElektrischeEigenschaften • GroßeDC-Festigkeit • HoheKurzschlussrobustheit • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>600 • IHMBGehäuse • IsolierteBodenplatte PotentialApplications • Chopperapplications • Mediumvoltageconverters • Motordrives • Tractiondrives • UPSsystems • Windturbines ElectricalFeatures • HighDCstability • Highshort-circuitcapability • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Unbeatablerobustness • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>600 • IHMBhousing • Isolatedbaseplate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 Datasheet www.
infineon.
com PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.
4 2019-07-24 FZ1000R33HE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES  ICDC  ICRM  VGES  3300 33...


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