DatasheetsPDF.com

MJE172

Motorola
Part Number MJE172
Manufacturer Motorola
Description 3 AMPERE POWER TRANSISTORS
Published May 7, 2005
Detailed Description MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE171/D Complementary Plastic Silicon Power Transistors...
Datasheet PDF File MJE172 PDF File

MJE172
MJE172


Overview
MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJE171/D Complementary Plastic Silicon Power Transistors .
.
.
designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc — MJE172, MJE182 • DC Current Gain — hFE = 30 (Min) @ IC = 0.
5 Adc hFE = 12 (Min) @ IC = 1.
5 Adc • Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc • Annular Construction for Low Leakages — ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB MAXIMUM RATINGS MJE171 MJE181 80 60 MJE172 MJE182 100 80 MJE171* MJE172* NPN MJE181* MJE182* *Motorola Preferred Device PNP ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCB VCEO VEB IC IB PD PD Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector–Emitter Voltage 7.
0 3.
0 6.
0 1.
0 Collector Current — Continuous Peak Base Current Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C 1.
5 0.
012 12.
5 0.
1 Watts W/_C Watts W/_C Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg – 65 to + 150 3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 – 80 VOLTS 12.
5 WATTS CASE 77–08 TO–225AA _C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol θJC θ...



Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)