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NTE5519

NTE
Part Number NTE5519
Manufacturer NTE
Description Silicon Controlled Rectifier
Published May 9, 2005
Detailed Description NTE5517 thru NTE5519 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ ...
Datasheet PDF File NTE5519 PDF File

NTE5519
NTE5519

Overview
NTE5517 thru NTE5519 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Off–State Voltage (TJ = +100°C), VDRM NTE5517 .
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400V NTE5519 .
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600V Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100°C), VRRM NTE5517 .
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600V RMS On–State Current (TC = +75°C), IT(RMS) .
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35A Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50Hz or 60Hz), ITSM .
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350A Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), IGTM .
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20A Peak Gate–Power Dissipation (IGT ≤ IGTM for 3µs Max), PGM .
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20W Average Gate–Power Dissipation, PG(AV) .
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0.
5W Operating Temperatue Range, Topr .
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–40° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg .
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–40° to +100°C Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC .
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