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PDMB200E6

ETC
Part Number PDMB200E6
Manufacturer ETC
Description IGBT
Published Sep 5, 2005
Detailed Description ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ ２００Ａ，６００Ｖ QS043-402-20392（2/5） ＰＤＭＢ２００Ｅ６ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (C2E1) 1 (E2) 2 7(G2) 6(E2) (C1) 3 5(E1) ...
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PDMB200E6
PDMB200E6

Overview
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ ２００Ａ，６００Ｖ QS043-402-20392（2/5） ＰＤＭＢ２００Ｅ６ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (C2E1) 1 (E2) 2 7(G2) 6(E2) (C1) 3 5(E1) 4(G1) □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94.
0 80 ±0.
25 12.
0 11.
0 12.
0 11.
0 12.
0 123 2-Ø6.
5 7 6 4 18.
0 4 48.
0 16.
0 14.
0 3-M5 23.
0 5 4 23.
0 17.
0 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.
5 +1.
0 - 0 .
5 0 LABEL 7 21.
2 7.
5 3 Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ コレク Ｃollector コレク Ｃollector タ Ｃurrent タ Ｐower Ｄissipation ＤＣ １ｍｓ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ め け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ６００ ±２０ ２００ ４００ ７８０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ３（３０.
６） ２（２０.
４） Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.
０ ｍＡ ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.
０ μＡ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V － ２.
１ ２.
６ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ４.
０ － ８.
０ Ｖ Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 10,000 － ｐＦ スイッチング Ｓwitching Ｔime ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔime Ｔurn-on Ｔime Ｆall Ｔime Ｔurn-off Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 1.
5Ω ＲＧ= 3.
6Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.
１５ ０.
３０ － － ０.
２５ ０.
４０ ０.
１０ ０.
３５ μｓ － ０.
３５ ０.
７０ □フリーホイーリングダイオードの ： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｆorward Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ ＩＦ ＩＦＭ ２００ ４００ Ａ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｒeverse Ｒecovery Ｔime Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＦ ｔｒｒ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs □ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｒth(j-...


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