DatasheetsPDF.com

2N6251

Motorola
Part Number 2N6251
Manufacturer Motorola
Description High Voltage NPN Silicon Power Transistors
Published Jan 21, 2007
Detailed Description www.DataSheet4U.com MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N6251/D High Voltage NPN Silicon P...
Datasheet PDF File 2N6251 PDF File

2N6251
2N6251

Overview
www.
DataSheet4U.
com MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by 2N6251/D High Voltage NPN Silicon Power Transistors .
.
.
designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated amplifier applications.
Especially well suited for switching power supply applications.
2N6251 15 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 175 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value 350 375 450 6.
0 15 30 10 20 25 50 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc Adc Collector–Emitter Voltage (1) Collector–Emitter Voltage (1) Collector–Base Voltage (1) Emitter–Base Voltage VCEO(sus) VCER(sus) VCB VEB IC ICM IB IBM IE IEM PD Collector Current — Continuous** — Peak Base Current — Continuous (1) — Peak Emitter Current — Continuous — Peak Total Power Dissipation @ TC = 25_ C @ TC = 100_ C Derate above 25_ C* Operating and Storage Junction (1) Temperature Range 175 100 1.
0 Watts W/_ C _C • • • • High Voltage Breakdown Rating Low Saturation Voltages Fast Switching Capability High ES/b Energy Handling Capability CASE 1–07 TO–204AA (TO–3) TJ, Tstg – 65 to + 200 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol RθJC TL Max 1.
0 Unit _C Thermal Resistance, Junction to Case _ C/W Maximum...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)