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F1047A

Osram Opto Semiconductors
Part Number F1047A
Manufacturer Osram Opto Semiconductors
Description Infrared Emitting Diode Chip
Published Jan 18, 2008
Detailed Description www.DataSheet4U.com GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B ...
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F1047A
F1047A

Overview
www.
DataSheet4U.
com GaAlAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitting Diode (880 nm) F 1047A F 1047B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ.
Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung • Lieferung: vereinzelt auf Folie Anwendungen • IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern • Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Lichtschranken bis 500 kHz • Sensorik • Diskrete Optokoppler I Features • Typ.
total radiant power: 22 mW @ 100 mA in TOPLED® package.
• Chipsize: 300 x 300 µm² • Very highly efficient GaAlAs LED • High reliability • High pulse handling capability • Good spectral match to silicon photodetectors • Frontside metallization: aluminum Backside ...


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