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SBCT10100

Diotec Semiconductor
Part Number SBCT10100
Manufacturer Diotec Semiconductor
Description (SBCT1020 - SBCT10100) Schottky Barrier Rectifiers
Published Feb 19, 2009
Detailed Description SBCT1020 ... SBCT10100 www.DataSheet4U.com SBCT1020 ... SBCT10100 Schottky Barrier Rectifiers – Common Cathode Schottk...
Datasheet PDF File SBCT10100 PDF File

SBCT10100
SBCT10100

Overview
SBCT1020 .
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SBCT10100 www.
DataSheet4U.
com SBCT1020 .
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SBCT10100 Schottky Barrier Rectifiers – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Gemeinsame Kathode Version 2007-01-17 10±0.
2 3 4 3.
8 Type Typ Nominal Current Nennstrom 4 10 A 20.
.
.
100 V TO-220AB 2.
2g 15.
7 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 1 2 3 3.
4 13.
2 1.
5 0.
9 2.
54 1 2 3 Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 20 30 40 45 50 60 90 100 TC = 100°C f > 15 Hz Grenz- und Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A < 0.
63 < 0.
63 < 0.
63 < 0.
63 < 0.
79 < 0.
79 < 0.
92 < 0.
92 5 A 2) 10 A 3) 20 A 2) 100/120 A 2) 100/120 A 2) 50 A2s 2) -50.
.
.
+150°C -50.
.
.
+175°C < 0.
55 < 0.
55 < 0.
55 < 0.
55 < 0.
70 < 0.
70 < 0.
85 < 0.
85 IFAV IFAV IFRM IFSM IFSM i2t SBCT1020 SBCT1030 SBCT1040 SBCT1045 SBCT1050 SBCT1060 SBCT1090 SBCT10100 Max.
average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1020.
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TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT1060 Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1080.
.
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TA = 25°C Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT10100 Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.
diotec.
com/ TA = 25°C Tj TS © Diotec Semiconductor AG 1 SBCT1020 .
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SBCT10100 Char...


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