DatasheetsPDF.com

U308

Micross
Part Number U308
Manufacturer Micross
Description Amplifier
Published Jun 20, 2011
Detailed Description U308 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix U308 The U308 is a high frequency n-channel JFET off...
Datasheet PDF File U308 PDF File

U308
U308

Overview
U308 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix U308 The U308 is a high frequency n-channel JFET offering a wide range and low noise performance.
The hermetically sealed TO-18 package is well suited for high reliability and harsh environment applications.
(See Packaging Information).
FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX U308  OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN   LOW HIGH FREQUENCY NOISE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C1   Gpg = 11.
5dB  NF = 2.
7dB  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  ƒ High Power Low Noise gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  ƒ Dynamic Range greater than 100dB Maximum Power Dissipation  ƒ Easily matched to 75Ω input Continuous Power Dissipation   500mW  U308 Applications: MAXIMUM CURRENT Gate Current  10mA  ƒ UHV / VHF Amplifiers MAXIMUM VOLTAGES  ƒ Mixers Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V  ƒ Oscillators         U308 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.
  MAX  UNIT  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  0.
7  ‐‐  1  VDS = 0V, IG = 10mA  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐1  ‐‐  ‐6.
5  VDS = 10V,  ID = 1nA  IDSS  Drain to Source Saturation Current2  12  ‐‐  60  mA  VDS = 10V, VGS = 0V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐15  ‐‐  pA  VDG = 9V,  ID = 10mA  rDS(on)  Drain to Source On Resistance  ‐‐  35  ‐‐  Ω  VGS = 0V,  ID = 1mA                U308 DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.
  MAX  UNIT  CONDITIONS  gfs  Forward Transconductance  8  14  ‐‐  mS  VDS = 10V,   ID = 10mA , f = 1kHz  gos  Output Conductance  ‐‐  110  250  µS  Ciss  Input Capacitance  ‐‐  4  5  pF  VDS = 10V,   VGS = ‐10V , f = 1MHz   Crss  Reverse Transfer Capacitance  ‐‐  1.
9  2.
5  en  Equivalent Noise Voltage  6  ‐‐  ‐‐  nV/√Hz  VDS = 10V,    ID = 10mA ,  f = 100Hz           ...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)