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PCHMB75E6

Nihon Inter Electronics
Part Number PCHMB75E6
Manufacturer Nihon Inter Electronics
Description IGBT MODULE
Published Jul 6, 2011
Detailed Description www.DataSheet4U.net ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ７５ Ａ， ６００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 ＰＣＨ...
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PCHMB75E6
PCHMB75E6

Overview
www.
DataSheet4U.
net ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ７５ Ａ， ６００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94 80 ± 0 .
2 5 12 11 2 ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６ 12 11 12 3 12 5 4 2-Ø 5.
5 5(E1) 4(G1) 3-M5 23 23 17 16 7 16 7 16 4-fasten tab #110 t= 0.
5 8 .
0 30 +1 - 0 .
5 LABEL 6 23 4 35 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 1 Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ Ｃollector Ｃurrent コ レ ク タ Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｓtorage Ｔemperature Ｒange (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink め け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ ＤＣ １ｍｓ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ ７５ １５０ ３２０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ ２ ２（２０.
４） ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 4.
0Ω 12.
0Ω ±15V Ｍｉｎ.
－ － － ４.
０ － － － － － Ｔｙｐ.
－ － ２.
１ － 3,200 ０.
１５ ０.
２５ ０.
１０ ０.
３５ Ｍａｘ.
1.
０ １.
０ ２.
６ ８.
０ － ０.
３０ ０.
４０ ０.
３５ ０.
７０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コ レ ク タ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト れ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ゲ ー ト し き い Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage Ｉnput Ｃapacitance スイッチング Ｓwitching Ｔime μｓ □フリーホイーリングダイオードの ： ＦＲＥＥ Ｉｔｅｍ Ｆorward Ｃurrent Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＦ ＩＦＭ Ｓｙｍｂｏｌ ＶＦ ｔｒｒ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ ７５ １５０ Ｍｉｎ.
－ － Ｔｙｐ.
１.
９ ０.
１５ Ｍａｘ.
２.
４ ０.
２５ Ｕｎｉｔ Ａ ＤＣ １ｍｓ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= 0V ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs Ｕｎｉｔ Ｖ μｓ □ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ＩＧＢＴ Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｓｙｍｂｏｌ Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tcチップ...


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