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HC1417

HUASHAN
Part Number HC1417
Manufacturer HUASHAN
Description NPN SILICON TRANSISTOR
Published Oct 7, 2013
Detailed Description NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC1417 ¨€ APPLICATIONS High Frequen...
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HC1417
HC1417

Overview
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.
,Ltd.
HC1417 ¨€ APPLICATIONS High Frequency Amplifier Application.
¨€ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Ta=25¡æ£© TO-92 T stg ¡ ª ¡ ªStorage Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-55~150¡æ T j ¡ª¡ªJunction Temperature¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡150¡æ PC¡ª¡ªCollector Dissipation¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡625mW VCBO ¡ ª ¡ ªCollector-Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡20V VCEO ¡ª¡ª Collector-Emitter Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡15V VE B O ¡ ª ¡ ªEmitter -Base Voltage¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡3V I C ¡ ª ¡ ªCollector Current ¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡-¡30mA ¨€ 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Collector£¬ C 3¨D Base£¬ B ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Ta=25¡æ£© Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Min 20 15 3 0.
1 Typ Max Unit V V V ¦Ì A Test Conditions IC =100 ¦Ì A£¬ I E=0 IC =1mA £¬ IB =0 I E=10 0¦Ì A£¬ IC =0 VCB =10V, I E=0 Symbol BVCBO BVCEO ICBO IEBO HFE BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage Colle...


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